ВОЛОГОЧУТЛИВИЙ ДВОЗАТВОРНИЙ МДН-ТРАНЗИСТОР - Осадчук, А .В.; Савицький, А. Ю. (Вісник Вінницького політехнічного інституту, 2010)
Розроблено структуру і проведено математичне моделювання двозатворного вологочутливого МДН-транзистора з чутливим шаром з пористого кремнію, на основі якого отримано аналітичну залежність повного опору структури, а також графічні залежності активної, реактивної складових повного опору та ємності структури від зміни вологості навколишнього середовища. В діапазоні відносної вологості від 10 до 90 % ємність структури змінюється від 200 до 700 мкФ.