Визначення параметрів фізичної моделі двозатворного польового транзистора Шоткі - Філинюк, М. А.; Гаврілов, Д. В.; Ліщинська, Л. Б. (Вісник Вінницького політехнічного інституту, 2010)
Обґрунтовано спосіб визначення параметрів еквівалентної схеми активної області кристала однозатворного польового транзистора Шотки (ПТШ1), що базується на результатах вимірювання коефіцієнта максимально стійкого підсилення з різними схемами його включення і дозволяє зменшити вплив частини елементів корпуса і пасивної області кристала. Аналіз структури двозатворного польового транзистора Шотки (ПТШ2) показав, що його можна розглядати як два однозатворних ПТШ1, стік одного з яких з’єднаний із джерелом другого ПТШ. Це дозволяє ставити задачу поширення способу визначення параметрів однозатворних ПТШ, на визначення ряду параметрів фізичної еквівалентної схеми двозатворних ПТШ.