Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітлення каналу - Осадчук, В. С.; Осадчук, О. В.; Ільченко, О. М.; Барабан, С. В. (Вісник Вінницького політехнічного інституту, 2010)
Проведено аналіз фотореактивного ефекту в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу на основі розв’язку рівняння перенесення носіїв заряду в каналі транзистора при дії світла, що дало можливість теоретично розрахувати повний опір каналу і отримати аналітичну залежність його складових від потужності оптичного випромінювання.