ОЦІНЮВАННЯ ВПЛИВУ ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ НА ПАРАМЕТРИ БІСТАБІЛЬНИХ ПЕРЕМИКАЛЬНИХ ПРИСТРОЇВ НА БАЗІ АМОРФНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ - Кичак, В. М.; Вовк, В. Л.; Барабан, І. О. (Вісник Вінницького політехнічного інституту, 2021)
Проведено оцінювання впливу температури та радіаційних опромінень на порогову напругу та час затримки перемикання перемикального пристрою на базі ХСН. Показано, що зі зміною температури від 250 до 350 К порогова напруга змінюється в межах ± 5 мВ, при цьому температурний коефіцієнт напруги становить близько 0,03 %/град, що значно менше у порівнянні з аналогічними пристроями на базі монокристалевих напівпровідників. Отримано аналітичні вирази та проведено дослідження залежності часу затримки перемикання від температури та щільності пасток захоплення близько рівня Фермі. Результати досліджень залежності часу затримки перемикання від температури показують, що зі зміною температури від 250 до 350 К час затримки змінюється на 0,35 пc, а температурний коефіцієнт часу затримки не перевищує 0,42 %/град. При чому зі збільшенням рухливості носіїв заряду час затримки зменшується. Дослідження залежності часу затримки перемикання від щільності пасток захоплення показав, що ця залежність є практично лінійною і зі збільшенням щільності пасток захоплення на порядок, час затримки змінюється також на порядок. Отримано аналітичні залежності рухливості носіїв заряду, та часу затримки перемикання від щільності потоку нейтронів. Показано, що зі зміною щільності потоку нейтронів до 1016 н/см2 рухливість носіїв заряду повільно зменшується від 10–2 до 0,99 × 10–2 см2/В·с, а за подальшого збільшення дози до 1018 н/см2 — рухливість зменшується у двічі і становить 0,5 × 10–2 см2/В·с. Час затримки перемикання з ростом дози опромінення від 1010 до 1016 н/см2 зростає від 26,2 нс до 26,8 нс, а за подальшого збільшення щільності потоку нейтронів час затримки швидко зростає і становить 57 нс з щільністю потоку нейтронів 1018 н/см2. Наведені результати досліджень свідчать про те, що перемикальні пристрої на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників характеризуються вищою радіаційною стійкістю у порівнянні з пристроями на базі монокристалевих біполярних напівпровідникових компонентів, підсилювальні властивості яких вже за щільності потоку нейтронів до 1012 н/см2 зменшуються майже у двічі.